圖2：錯(cuò)誤的溫度測(cè)量方式因此，為避免光對(duì)熱電偶的影響，建議使用紅外熱成像儀進(jìn)行溫度測(cè)量，紅外熱成像儀除具有響應(yīng)時(shí)間快、非接觸、無(wú)需斷電、快速掃描等優(yōu)點(diǎn)，還可以實(shí)時(shí)顯示待測(cè)物體的溫度分布。紅外測(cè)溫原理是基于斯特藩—玻耳茲曼定理，可用以下公式表示。COB光源與LED二、COB的色溫和顯色性較一般單芯片封裝的LED燈珠要更好？COB和單顆LED燈珠所使用的封裝材料并沒(méi)有本質(zhì)上的區(qū)別COB光源與LED

其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發(fā)射率，紅外測(cè)溫的精確與待測(cè)材料的發(fā)射率密切相關(guān)，由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準(zhǔn)測(cè)溫，可將光源放置在恒溫加熱臺(tái)上，待光源加熱到一個(gè)已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測(cè)量物體表面溫度，再調(diào)整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。。若非要說(shuō)有，也是由材料和生產(chǎn)工藝的好壞決定的，與產(chǎn)品形態(tài)無(wú)關(guān)。所以這個(gè)論斷也沒(méi)有依據(jù)。

正裝、倒裝、垂直LEDCOB光源與LED芯片結(jié)構(gòu)三大流派，COB光源與LED倒裝技術(shù)并不是一個(gè)新的技術(shù)，其實(shí)很早之前就存在了。

裸芯片技術(shù)主要有兩種形式：一種COB技術(shù)，另一種是倒裝片技術(shù)(FlipChip)。板上芯片封裝(COB)，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹(shù)脂覆蓋以確?？煽啃浴?/p>

COB光源與LED而另一項(xiàng)發(fā)明的倒裝結(jié)構(gòu)LED，因其可以集成化、批量化生產(chǎn)，制備工藝簡(jiǎn)單，性能優(yōu)良，逐漸得到了照明行業(yè)的廣泛重視COB光源與LED圖4：樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到，藍(lán)色樣品的發(fā)光面最高溫度為93.6℃，2700K的發(fā)光面最高溫度為124.5℃、6500K的發(fā)光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋，白光是由芯片產(chǎn)生的藍(lán)光激發(fā)熒光粉混成白光，在藍(lán)光激發(fā)熒光粉的過(guò)程中，熒光粉和硅膠會(huì)吸收一部分光轉(zhuǎn)化成熱，經(jīng)過(guò)測(cè)量可知藍(lán)色樣品的光電轉(zhuǎn)換效率為41.6%，2700K樣品為32.2%，6500K為38.5%，2700K樣品的光電轉(zhuǎn)換效率最低，主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K，在藍(lán)光激發(fā)熒光粉過(guò)程中有更多藍(lán)光轉(zhuǎn)換成熱量，相關(guān)參數(shù)參考表2。。倒裝結(jié)構(gòu)采用將芯片PN結(jié)直接與基板上的正負(fù)極共晶鍵合，沒(méi)有使用金線，而最大限度避免了光淬滅問(wèn)題。在大功率LED使用過(guò)程中，不可避免大電流沖擊現(xiàn)象，在此情況下，如果燈具的大電流抗沖擊穩(wěn)定性不好，很容易降低燈具的使用壽命。